IBM жаңа чип дизайнын ұсынды, ол өндірушілерге тырнақ өлшеміндегі кремний чипіне 100 миллиард транзисторды сыйғызуға мүмкіндік береді. Бұл туралы Qazaqyia.kz порталы BBC News басылымына сілтеме жасап хабарлайды.

Қазіргі өнеркәсіптік стандартты чип өлшемі нанометрмен (метрдің миллиардтан бір бөлігі, бірнеше атомның өлшемі) өлшенеді және шамамен 2 нанометрді (нм) құрайды. Алайда IBM өзінің жаңа чип технологиясы шамамен 0,7 нм-ге тең екенін мәлімдейді, бұл әлемдегі 1 нм-ден төмен алғашқы чип технологиясы болуы мүмкін.

Дегенмен, чип технологиясын өндіріске енгізуге бірнеше жыл қажет болады. Компания сынақтарда оның прототипі өзінің 2 нм чипінен 50% жақсы өнімділік көрсеткенін және 70% энергия тиімдірек екенін айтады. IBM 2021 жылы 2 нм чип технологиясын алғаш рет ұсынған кезде де осындай өнімділік пен энергия тиімділігінің артуын мәлімдеген болатын.

IBM Research директоры және IBM Fellow Джей Гамбетта NanoStack технологиясын чиптердің болашағы үшін "тарихи сәт" деп сипаттады. "Жаңа NanoStack архитектурасымен біз транзисторларды кішірейтіп қана қоймай, чиптердің құрылысын қайта ойлап тауып, қуат пен энергия тиімділігін күрт арттырамыз", - деді ол.

Транзисторлар - кремний чиптерінің құрылыс блоктары, олар смартфондар, ойын консольдері және ноутбуктер сияқты электронды құрылғылардың есептеу қуатын қамтамасыз етеді. Олар сондай-ақ деректер орталықтарындағы қуатты компьютерлер үшін маңызды болып, ағындық трансляциядан онлайн-банкингке дейінгі күнделікті цифрлық әрекеттерді өңдейді және генеративті AI өркендеуіне қуат береді.

Чипке неғұрлым көп транзисторлар сыйса, соғұрлым чип қуатты болады және құрылғылар көбірек мүмкіндіктерге ие болады. Сонымен қатар, дизайнерлер чиптердің өзін кішірейтуге ұмтылады. Ондаған жылдар бойы чипке орналастырылатын транзисторлар саны екі жыл сайын екі есе артып келеді: бұл Мур заңы деп аталатын құбылыс. Бірақ қазір кейбір чиптерде миллиардтаған транзисторлар болғандықтан, бұл қарқынды сақтау қиындап келеді және сарапшылар бұл өсу қарқыны шексіз жалғаса алмайды деп келіседі.

Мур заңын ұзарту үшін чип дизайнерлері біраз уақыттан бері 3D баламаларға назар аударып, транзисторлардың пішінін өзгертіп, оларды биік етіп жасауда. IBM-нің тәсілі - олардың қабаттарын бір-бірінің үстіне қою. Суррей университетінің компьютер ғалымы профессор Алан Вудворд мұны қаладағы үйлердің орнына үлкен көпқабатты үй салумен салыстырды. "IBM-нің NanoStack-і 100 қабатты аспан тірегіш сияқты", - деді ол, оның пікірінше, Samsung және Intel сияқты компаниялар өздерінің 3D чип жұмыстарымен 30-50 қабатты ғимараттарға жақын.

3D чип дизайнерлерінің алдындағы қиындықтарға жылу жатады: транзисторлар жұмыс істегенде қызып кетуі мүмкін, ал жылу жоғары көтеріледі. Сонымен қатар, олардың арасындағы қабаттар тым жұқа болғанда, бұл кейде олардың қажетті уақытта өшірілуіне кедергі келтіреді және чиптің жұмысын тоқтатады. "IBM-нің ұсыныстары ең амбициялы деп айтуға болады", - деді профессор Вудворд.